Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1000V | 5A | 225W | TO3PN
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 1000V | 5A | 225W | TO3PN
EB Kods: EB311409356
Ražotāja preces kods: FQA8N100C
Ražotāja preces kods:
FQA8N100C
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
8,09 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 5 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Drain current | 5A |
| Power dissipation | 225W |
| Case | TO3PN |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 1.45Ω |
| Mounting | THT |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |