Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 80V | 280A | Idm: 1120A | 320.5W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 80V | 280A | Idm: 1120A | 320.5W
EB Kods: EB494833562
Ražotāja preces kods: WMJ023N08HGS
Ražotāja preces kods:
WMJ023N08HGS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
3,25 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 80V |
Drain current | 280A |
Pulsed drain current | 1120A |
Power dissipation | 320.5W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.4mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 0.14µC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |