Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 288A | Idm: 1152A | 347.2W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 288A | Idm: 1152A | 347.2W
EB Kods: EB1914731231
Ražotāja preces kods: WMJ020N10HGS
Ražotāja preces kods:
WMJ020N10HGS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
4,64 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 288A |
Pulsed drain current | 1152A |
Power dissipation | 347.2W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 250nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |