Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | TrenchFET® | unipolar | 40V | 20A | Idm: 50A
Transistor: N-MOSFET x2 | TrenchFET® | unipolar | 40V | 20A | Idm: 50A
EB Kods: EB529961088
Ražotāja preces kods: SI7288DP-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI7288DP-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
2,07 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 40V |
Drain current | 20A |
Pulsed drain current | 50A |
Power dissipation | 15.6W |
Case | PowerPAK® SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 22mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 15nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |