Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -40V | -4.1A | Idm: -16A | 1W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -40V | -4.1A | Idm: -16A | 1W | SOT23
EB Kods: EB671896579
Ražotāja preces kods: SQ2389ES-T1_GE3
Ražotāja preces kods:
SQ2389ES-T1_GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,21 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -40V |
Drain current | -4.1A |
Pulsed drain current | -16A |
Power dissipation | 1W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 169mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 12nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |