Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -40V | -16.1A | Idm: -50A | 4W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -40V | -16.1A | Idm: -50A | 4W | SO8
EB Kods: EB1095041060
Ražotāja preces kods: SI4401DDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI4401DDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,43 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -40V |
Drain current | -16.1A |
Pulsed drain current | -50A |
Power dissipation | 4W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 15mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 95nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |