Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -450mA | 190mW
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -20V | -450mA | 190mW
EB Kods: EB2124348477
Ražotāja preces kods: SI1013CX-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI1013CX-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,56 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -450mA |
Pulsed drain current | -1.5A |
Power dissipation | 0.19W |
Case | SC89 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 1.5Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 2.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |