Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 8A | Idm: 32A | 2W | DFN2020-8S

EB Kods: EB394120016

Ražotāja preces kods: 
RF4E080GNTR

Ražotājs, zīmols: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 0,75 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current8A
Pulsed drain current32A
Power dissipation2W
CaseDFN2020-8S
Gate-source voltage±20V
On-state resistance17.6mΩ
MountingSMD
Gate charge5.8nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced