Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 8A | 53W | PG-TO252-3 | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 8A | 53W | PG-TO252-3 | ESD
EB Kods: EB1204881310
Ražotāja preces kods: IPD60R280P7ATMA1
Ražotāja preces kods:
IPD60R280P7ATMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,87 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | CoolMOS™ P7 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 8A |
Power dissipation | 53W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.28Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 18nC |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |