Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -7.6A | Idm: -80A | 1.6W | SOT23
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -7.6A | Idm: -80A | 1.6W | SOT23
EB Kods: EB1852411905
Ražotāja preces kods: SI2369DS-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI2369DS-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -7.6A |
Pulsed drain current | -80A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 29mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 36nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |