Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -3.4A | Idm: -13.6A | 1.25W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -3.4A | Idm: -13.6A | 1.25W
EB Kods: EB270899857
Ražotāja preces kods: PJA3413_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJA3413_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -3.4A |
Pulsed drain current | -13.6A |
Power dissipation | 1.25W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 146mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |