Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 300mA | Idm: 0.8A | 350mW
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 300mA | Idm: 0.8A | 350mW
EB Kods: EB787061548
Ražotāja preces kods: PJC7476_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJC7476_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,60 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 0.3A |
Pulsed drain current | 0.8A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT323 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 9Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |