Tulkot latviski
Transistor: N/P-MOSFET | unipolar | 20/-20V | 1A/-700mA | 350mW
Transistor: N/P-MOSFET | unipolar | 20/-20V | 1A/-700mA | 350mW
EB Kods: EB1695195775
Ražotāja preces kods: PJT7600_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJT7600_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,60 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N/P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20/-20V |
Drain current | 1A/-700mA |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 400/600mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.6/2.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |