Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 1.5kV | 4A | Idm: 16A | 125W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 1.5kV | 4A | Idm: 16A | 125W
EB Kods: EB358343815
Ražotāja preces kods: WMJ4N150D1
Ražotāja preces kods:
WMJ4N150D1
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
3,64 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.5kV |
| Drain current | 4A |
| Pulsed drain current | 16A |
| Power dissipation | 125W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 5.4Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 41nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |