Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 900V | 32A | Idm: 184A | 110W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 900V | 32A | Idm: 184A | 110W
EB Kodas: EB1605801066
Gamintojo prekės kodas: NTHL060N090SC1
Gamintojo prekės kodas:
NTHL060N090SC1
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
19,01 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 900V |
| Drain current | 32A |
| Pulsed drain current | 184A |
| Power dissipation | 110W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -10...20V |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 87nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |