Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 17A | Idm: 112A | 310W | TO3PN
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 17A | Idm: 112A | 310W | TO3PN
EB Kodas: EB1999303026
Gamintojo prekės kodas: FDA28N50
Gamintojo prekės kodas:
FDA28N50
Gamintojas, prekės ženklas: ONSEMI
Gamintojas, prekės ženklas:
ONSEMI
7,05 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | DMOS |
| Technology | UniFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500V |
| Drain current | 17A |
| Pulsed drain current | 112A |
| Power dissipation | 310W |
| Case | TO3PN |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 155mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 105nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |