Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 20A | Idm: 100A | 277W
Transistor: N-MOSFET | WMOS™ F2 | unipolar | 600V | 20A | Idm: 100A | 277W
EB Kodas: EB2032569908
Gamintojo prekės kodas: WMJ36N60F2
Gamintojo prekės kodas:
WMJ36N60F2
Gamintojas, prekės ženklas: WAYON
Gamintojas, prekės ženklas:
WAYON
9,70 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | WMOS™ F2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 20A |
Pulsed drain current | 100A |
Power dissipation | 277W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.11Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 46nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |