Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 228A | Idm: 912A | 320.5W

EB Kods: EB750112869

Ražotāja preces kods: 
WMJ028N10HGS

Ražotājs, zīmols: 
WAYON

 2,77 € 
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current228A
Pulsed drain current912A
Power dissipation320.5W
CaseTO247-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3mΩ
MountingTHT
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement