Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 150V | 126A | Idm: 800A | 378.7W | TO263
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 150V | 126A | Idm: 800A | 378.7W | TO263
EB Kods: EB2133880979
Ražotāja preces kods: WMM040N15HG2
Ražotāja preces kods:
WMM040N15HG2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
6,19 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 150V |
Drain current | 126A |
Pulsed drain current | 800A |
Power dissipation | 378.7W |
Case | TO263 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.6mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 74.3nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |