Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 53.7A | Idm: 340A | 108.7W

EB Kods: EB1034323732

Ražotāja preces kods: 
WMO080N10HG2

Ražotājs, zīmols: 
WAYON

 1,35 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current53.7A
Pulsed drain current340A
Power dissipation108.7W
CaseTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8mΩ
MountingSMD
Gate charge21nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement