Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 40V | 33A | Idm: 200A | 32.9W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 40V | 33A | Idm: 200A | 32.9W
EB Kods: EB593768717
Ražotāja preces kods: WMB090N04LG2
Ražotāja preces kods:
WMB090N04LG2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,70 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 40V |
Drain current | 33A |
Pulsed drain current | 200A |
Power dissipation | 32.9W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 15mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 6.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |