Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 128A | Idm: 512A | 127.5W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 128A | Idm: 512A | 127.5W
EB Kods: EB1373280307
Ražotāja preces kods: WMB128N10T2
Ražotāja preces kods:
WMB128N10T2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
1,68 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 128A |
Pulsed drain current | 512A |
Power dissipation | 127.5W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.2mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 72nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |