Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 120V | 65A | Idm: 260A | 96.1W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 120V | 65A | Idm: 260A | 96.1W
EB Kods: EB930423477
Ražotāja preces kods: WMB119N12HG4
Ražotāja preces kods:
WMB119N12HG4
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
1,35 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 120V |
Drain current | 65A |
Pulsed drain current | 260A |
Power dissipation | 96.1W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 12mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 23.7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |