Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 17.7A | Idm: 112A | 21.5W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 17.7A | Idm: 112A | 21.5W
EB Kods: EB651825764
Ražotāja preces kods: WMQ080N03LG2
Ražotāja preces kods:
WMQ080N03LG2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,65 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 17.7A |
Pulsed drain current | 112A |
Power dissipation | 21.5W |
Case | PDFN3030-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 12mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7nC |
Kind of channel | enhancement |