Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 47A | Idm: 188A | 41.6W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 47A | Idm: 188A | 41.6W
EB Kods: EB34373264
Ražotāja preces kods: WMQ099N10LG2
Ražotāja preces kods:
WMQ099N10LG2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,88 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 47A |
Pulsed drain current | 188A |
Power dissipation | 41.6W |
Case | PDFN3030-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 11mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 23nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |