Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | WMOS™ D1 | unipolar | 1.2kV | 3A | Idm: 12A

EB Koodi: EB210261821

Valmistajan tuotekoodi: 
WMJ3N120D1

Valmistaja, merkki: 
WAYON

 2,37 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyWMOS™ D1
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current3A
Pulsed drain current12A
Power dissipation156.2W
CaseTO247-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance6.3Ω
MountingTHT
Gate charge22.2nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced