Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -30V | -5.9A | 5W | SO8
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -30V | -5.9A | 5W | SO8
EB Koodi: EB658679952
Valmistajan tuotekoodi: SI4925DDY-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI4925DDY-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,29 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -5.9A |
Power dissipation | 5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 41mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 50nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |