Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -12V | -2.6A | 0.5W | SuperSOT-3

EB Koodi: EB1212054615

Valmistajan tuotekoodi: 
FDN306P

Valmistaja, merkki: 
ONSEMI

 0,63 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12V
Drain current-2.6A
Power dissipation0.5W
CaseSuperSOT-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance80mΩ
MountingSMD
Gate charge17nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor deviceslogic level