Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 1.9A | 0.5W | SuperSOT-3

EB Koodi: EB147825905

Valmistajan tuotekoodi: 
FDN357N

Valmistaja, merkki: 
ONSEMI

 0,80  
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current1.9A
Power dissipation0.5W
CaseSuperSOT-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.14Ω
MountingSMD
Gate charge5.9nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor deviceslogic level