Tulkot latviski
Transistor: IGBT | 1.2kV | 25A | 200W | TO3P
Transistor: IGBT | 1.2kV | 25A | 200W | TO3P
EB Koodi: EB1695276279
Valmistajan tuotekoodi: NTE3323
Valmistajan tuotekoodi:
NTE3323
Valmistaja, merkki: NTE Electronics
Valmistaja, merkki:
NTE Electronics
38,09 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa 9 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | IGBT |
Collector-emitter voltage | 1.2kV |
Collector current | 25A |
Power dissipation | 200W |
Case | TO3P |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 50A |
Mounting | THT |
Turn-on time | 0.4µs |
Turn-off time | 0.8µs |