Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -7.5A | Idm: -50A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -7.5A | Idm: -50A
EB Koodi: EB553054651
Valmistajan tuotekoodi: SI2393DS-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI2393DS-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
0,76 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -7.5A |
Pulsed drain current | -50A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SOT23 |
On-state resistance | 33mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 25.2nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |