Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -60V | -4A | Idm: -16A | 3.1W | SOT223

EB Koodi: EB1107996719

Valmistajan tuotekoodi: 
PJW4P06A_R2_00001

Valmistaja, merkki: 
PanJit Semiconductor

 0,60 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-4A
Pulsed drain current-16A
Power dissipation3.1W
CaseSOT223
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.13Ω
MountingSMD
Gate charge10nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced