Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 500V | 6.6A | Idm: 121A | 114W | TO220AB

EB Koodi: EB1334065787

Valmistajan tuotekoodi: 
SIHP12N50E-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

2,52 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current6.6A
Pulsed drain current121A
Power dissipation114W
CaseTO220AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.38Ω
MountingTHT
Gate charge50nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced