Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -700mA | Idm: -2.8A | 350mW

EB Koodi: EB383165120

Valmistajan tuotekoodi: 
PJT7801_R1_00001

Valmistaja, merkki: 
PanJit Semiconductor

 0,38 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-700mA
Pulsed drain current-2.8A
Power dissipation0.35W
CaseSOT363
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.6Ω
MountingSMD
Gate charge2.2nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced