Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 900V | 5.8A | Idm: 36.8A | 200W | TO247
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 900V | 5.8A | Idm: 36.8A | 200W | TO247
EB Koodi: EB979326597
Valmistajan tuotekoodi: STW11NK90Z
Valmistajan tuotekoodi:
STW11NK90Z
Valmistaja, merkki: STMicroelectronics
Valmistaja, merkki:
STMicroelectronics
4,91 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SuperMesh™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 900V |
Drain current | 5.8A |
Pulsed drain current | 36.8A |
Power dissipation | 200W |
Case | TO247 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 980mΩ |
Mounting | THT |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |