Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1A | Idm: 2.6A | 13W | IPAK | ESD
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1A | Idm: 2.6A | 13W | IPAK | ESD
EB Koodi: EB2085366218
Valmistajan tuotekoodi: IPU80R4K5P7AKMA1
Valmistajan tuotekoodi:
IPU80R4K5P7AKMA1
Valmistaja, merkki: INFINEON TECHNOLOGIES
Valmistaja, merkki:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,89 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | CoolMOS™ P7 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 1A |
Pulsed drain current | 2.6A |
Power dissipation | 13W |
Case | IPAK |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.5Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 4nC |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |