Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 80A | 260W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 80A | 260W | TO220AB
EB Koodi: EB58318912
Valmistajan tuotekoodi: IRF8010PBF
Valmistajan tuotekoodi:
IRF8010PBF
Valmistaja, merkki: INFINEON TECHNOLOGIES
Valmistaja, merkki:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,39 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 80A |
Power dissipation | 260W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 15mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 81nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |