Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 8A | Idm: 16A | 74W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 8A | Idm: 16A | 74W
EB Koodi: EB988691909
Valmistajan tuotekoodi: G3R350MT12D
Valmistajan tuotekoodi:
G3R350MT12D
Valmistaja, merkki: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
GeneSiC SEMICONDUCTOR
6,78 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | G3R™ |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 8A |
| Pulsed drain current | 16A |
| Power dissipation | 74W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -5...15V |
| On-state resistance | 0.35Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 12nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |