Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Hi-PotMOS2 | unipolar | 600V | 10A | Idm: 40A | 85W

EB Koodi: EB1854856305

Valmistajan tuotekoodi: 
P10F60HP2-5600

Valmistaja, merkki: 
SHINDENGEN

 1,64 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHi-PotMOS2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current10A
Pulsed drain current40A
Power dissipation85W
CaseFTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.8Ω
MountingTHT
Gate charge23nC
Kind of packagebulk
Kind of channelenhanced