Tulkot latviski

Transistor: IGBT | BiMOSFET™ | 1.7kV | 10A | 140W | TO247-3

EB Koodi: EB1317872320

Valmistajan tuotekoodi: 
IXBH10N170

Valmistaja, merkki: 
IXYS

15,73 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorIGBT
TechnologyBiMOSFET™
Collector-emitter voltage1.7kV
Collector current10A
Power dissipation140W
CaseTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current40A
MountingTHT
Gate charge30nC
Kind of packagetube
Turn-on time63ns
Turn-off time1.8µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage