Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -9.1A | Idm: -50A | 3.2W | SO8
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -9.1A | Idm: -50A | 3.2W | SO8
EB Koodi: EB51553318
Valmistajan tuotekoodi: SI4435DDY-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SI4435DDY-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,02 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -30V |
| Drain current | -9.1A |
| Pulsed drain current | -50A |
| Power dissipation | 3.2W |
| Case | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 24mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 50nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |