Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -86.6A | Idm: -300A | 42W
Transistor: P-MOSFET | unipolar | -30V | -86.6A | Idm: -300A | 42W
EB Koodi: EB1743566456
Valmistajan tuotekoodi: SISS05DN-T1-GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SISS05DN-T1-GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
1,83 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -86.6A |
Pulsed drain current | -300A |
Power dissipation | 42W |
Case | PowerPAK® 1212-8 |
Gate-source voltage | -20...16V |
On-state resistance | 5.8mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 115nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |