Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -4A | Idm: -10A | 2W | SOT23F

EB Koodi: EB1231698638

Valmistajan tuotekoodi: 
SSM3J331R,LF

Valmistaja, merkki: 
TOSHIBA

0,22 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-4A
Pulsed drain current-10A
Power dissipation2W
CaseSOT23F
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.15Ω
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesESD protected gate