Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | unipolar | -20V | -1.6A | 0.5W | SuperSOT-3

EB Koodi: EB1977253016

Valmistajan tuotekoodi: 
FDN338P

Valmistaja, merkki: 
ONSEMI

0,59 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-1.6A
Power dissipation0.5W
CaseSuperSOT-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance0.165Ω
MountingSMD
Gate charge6.2nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor deviceslogic level