Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -2.5A | Idm: -10A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -2.5A | Idm: -10A
EB Koodi: EB163511941
Valmistajan tuotekoodi: SQ2303ES-T1_GE3
Valmistajan tuotekoodi:
SQ2303ES-T1_GE3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
0,99 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -2.5A |
Pulsed drain current | -10A |
Power dissipation | 1.9W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 370mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 6.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |