Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 2.3A | Idm: 8A | 1.06W | SOT23

EB Koodi: EB15622907

Valmistajan tuotekoodi: 
SI2308BDS-T1-E3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,85  
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current2.3A
Pulsed drain current8A
Power dissipation1.06W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance156mΩ
MountingSMD
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced