Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 50A | Idm: 167A | 2.7W | 3.3x3.3mm
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 50A | Idm: 167A | 2.7W | 3.3x3.3mm
EB Koodi: EB1818264834
Valmistajan tuotekoodi: CSD17308Q3
Valmistajan tuotekoodi:
CSD17308Q3
Valmistaja, merkki: TEXAS INSTRUMENTS
Valmistaja, merkki:
TEXAS INSTRUMENTS
1,19 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | NexFET™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 50A |
Pulsed drain current | 167A |
Power dissipation | 2.7W |
Case | VSON-CLIP8 |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 12.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 3.9nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Dimensions | 3.3x3.3mm |