Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 3.7A | 2W | SOT223
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 3.7A | 2W | SOT223
EB Koodi: EB626028657
Valmistajan tuotekoodi: ZXMN10A25GTA
Valmistajan tuotekoodi:
ZXMN10A25GTA
Valmistaja, merkki: DIODES INCORPORATED
Valmistaja, merkki:
DIODES INCORPORATED
1,65 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 3.7A |
Power dissipation | 2W |
Case | SOT223 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |