Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 170mA | Idm: 0.68A | 500mW

EB Koodi: EB1752921259

Valmistajan tuotekoodi: 
BSS123_R1_00001

Valmistaja, merkki: 
PanJit Semiconductor

 0,17 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current0.17A
Pulsed drain current0.68A
Power dissipation0.5W
CaseSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance10Ω
MountingSMD
Gate charge1.8nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced