Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 12V | 4A | Idm: 20A | 2.8W

EB Koodi: EB1092209561

Valmistajan tuotekoodi: 
SI1442DH-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 0,60 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage12V
Drain current4A
Pulsed drain current20A
Power dissipation2.8W
CaseSC70-6
CaseSOT363
Gate-source voltage±8V
On-state resistance30mΩ
MountingSMD
Gate charge33nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced